各电子元器件寿命不同？受损后有哪些表现？

有生就有死，电子元件也有寿命。电子元件的寿命除了与它本身的结构、性质有关，也和它的使用环境和在电路中所起作用密切相关。

冬天快到来时，突来一股寒流，一部分人体格较差，受不了环境的冷热变化，发烧感冒了，但身体强壮的人抵抗能力强，没有生病。这说明生病和自身体质有关。

在电路中也有身体强弱之分，电子元器件抵抗能力排行榜如下：

电阻、电感，电容、半导体器件(包括二极管、三极管、场管、集成电路)，也就是说，在同样的工作条件下，半导体器件损坏机率最大。

所以我们查找故障元件时要优先检查二极管、三极管、场管、集成电路等，一般半导体器件损坏时以击穿为多见，万用表二极管蜂鸣档测这些器件的任意两脚最低也应有一个PN结的阻值500左右，若是蜂鸣八成是坏了，可拆下再测以确认。

我们都知道，出头的椽子先烂，首长的警卫员要做好随时牺牲的准备，这说明工作岗位决定了危险程度。

在电路中，工作在高电压、大电流、大功率状态下的元件无疑承受的压力也大，损坏的可能性大，同时也是电路的关键元件、功能性元件。

凡在大电流的地方发热就大(焦耳楞次定律——热量与电流的平方成正比)，所以凡是加有散热片的元件都是易损件。大功率的电阻也是易损件。大功率的电阻怎么能看出来？和它的阻值无关，只和它的体积有关，体积越大，功率越大。

在电路中，保险丝、保险电阻是最不保险的元件，首先因为它的熔点低，容易断，又因为它是保别人的险，冲到第一线，当警卫员，所以坏时先坏。

元件损坏的方式，有过压损坏、过流损坏，当然还有机械损坏。过压损坏如雷击，击穿桥式整流管。过流损坏如显示器行管热击穿。

相应于人来说也有各种死法。过压损坏如斩首，人头掉了，人已死了，身体完好无损。过压损坏的元件外观看不出明显的变化，只是参数全变了。过流像毒打致死，一开始还能禁受，越来越不行，等到死了，已是遍体鳞伤、血肉模糊。过流损坏的元件表面温度很高，有裂纹、变色、小坑等明显变化。严重时元件周围的线路板变黄、变黑。

常用电子元器件在外表看上去无异常时可以用数字万用表做一些简单的测试。

电阻： 这个很简单，测试阻值对不对。

二极管： 用数字万用表测试PN结的压降，可与同型号的完好的二极管做对比。

三极管： 不管是N管还是P管可以用数字万用表测量测试两个PN结是否正常。

场效应管： 测试场效应管的体内二极管的PN结是否正常，测试GD,GS是否有短路。

电容： 无极性电容，击穿短路或脱焊，漏电严重或电阻效应。

电解电容的实效特性是：击穿短路，漏电增大，容量变小或断路。

电感： 实效特性为断线，脱焊

芯片： 集成电路内部结构复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。

对热稳定性差的，可以在设备工作时，用无水酒精冷却被怀疑的集成电路，如果故障发生时间推迟或不再发生故障，即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。

无论是自然损耗所出现的故障，还是人为损坏所出现的故障，一般可归结为电路接点开路，电子元器件损坏和软件故障三种故障。

接点开路，如果是导线的折断，拨插件的断开，接触不良等，检修起来一般比较容易。而电子元器件的损坏，（除明显的烧坏，发热外），一般很难凭观察员发现，在许多情况下，必须借助仪器才能检测判断，因此对于技术人员来说，首先必需了解各种器件实效的特点，这对于检修电路故障，提高检修效率是极为重要的。

来源：电子工程专辑

“十年磨一剑”延长电子元器件寿命

编者按

海南自由贸易港建设，最突出的短板、最紧缺的资源是人才。实施人才战略，要既重视“天边”，也重视“身边”。“4·13”以来，省委、省政府高度重视本土人才培养工作，坚持培养和引进“双轮驱动”，开展了“南海系列”育才计划评选。今年初，我省公布了海南省“南海系列”育才计划第二批人选，共有343人入选。至此，海南省“南海系列”育才计划培养对象已超千人。

本报今起推出“才涌海之南 奋楫自贸港”专栏，集中展示“南海系列”人才参与海南自贸港建设的风采。敬请关注！

■ 本报记者 李磊

“为什么很多电子电器设备在海南等沿海潮湿地区不太耐用？其中的原因是什么？如何更好地解决这个问题？这就是我近年来的主要研究方向。”在采访“南海系列”育才计划“南海名家”、海南师范大学物理与电子工程学院教授沈振江时，这位“80后”教授用通俗的语言向海南日报记者介绍他在海南这些年的研究工作。

沈振江说，在类似海南这样的常年潮湿的气候条件下，空气中的水汽进入电子元器件内部，由于水电交互作用，造成各类电器电路电子元器件老化速度加快，同时工作稳定性下降。他所做的研究，就是提升这些元器件的稳定性和使用寿命，使得其在高温高湿环境下工作可靠性提高。

2010年，沈振江在获得武汉大学材料物理与化学专业博士学位后，来到海南师范大学物理与电子工程学院任教。从攻读博士学位开始，沈振江就将研究方向定在了电容器等电子元器件优化结构性能、提升可靠性方面。

沈振江到海南工作后发现，海南空气湿度较大，且富含盐分，电子元器件在这种环境下不稳定性表现得更为明显。在做好日常教学工作的同时，沈振江带着解决这一问题的想法，一头扎进实验室，开始了长期的研究工作。

近十年来，沈振江在海南开展了电介质材料的性能改善及应用可靠性研究、表面离子重构法对晶体中低维结构的离子分布及性能研究等一系列的研究工作。

特别是近两年，在我国MLCC等电子元器件国产高性能化研发的重大需求背景下，沈振江针对其中的基础问题，开展了表面离子重构法对晶体中低维结构的离子分布及性能研究。该研究能够从根本机理上改善电子元器件的性能，为基础电子元器件产业化应用提供有力的应用理论基础，加快国产电子元器件高性能化的研发进程，从而推动5G数字产业的发展。

今年初，沈振江入选第二批“南海系列”育才计划“南海名家”序列。他说，近年来海南省委、省政府陆续出台实施了一系列人才政策，这些人才政策充分显示出我省对人才的重视和渴求。

6月1日，《海南自由贸易港建设总体方案》（以下简称《总体方案》）正式公布，进一步激发了沈振江继续在海南开展教学科研工作、实现人生理想的热情。

“海南建设自贸港，人人都是参与者，《总体方案》提出要大力发展高新技术产业，这是重大利好，有利于海南科研事业的发展。”沈振江表示，按照《总体方案》的部署安排，海南自由贸易港建设过程中，将“聚焦平台载体，提升产业能级，以物联网、人工智能、区块链、数字贸易等为重点发展信息产业。”这些举措，将吸引更多的高新技术企业和相关高层次人才来海南发展，这些企业和人才的到来，也将带动科研事业的大发展。届时，他将与云集海南的众多高层次人才一起，开展学术交流，为自贸港建设作贡献。

（本报海口6月16日讯）

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